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- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，3-DFN1006B
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
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PMZB370UNE,315 技術參數詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PMZB370UNE,315
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：900mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：490 毫歐 @ 500mA， 4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.05V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.16nC @ 15V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 25V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：3-XFDFN
- 供應商器件封裝：3-DFN1006B（0.6x1）
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