產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：NXP（恩智浦）
- 類別封裝：單端場效應管，I2PAK
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
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PSMN4R3-100ES,127 技術參數(shù)詳情：
- NXP恩智浦完整型號：PSMN4R3-100ES,127
- 制造商：NXP（恩智浦半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.3 毫歐 @ 25A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：170nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9900pF @ 50V
- 功率 - 最大值：338W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：I2PAK
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