西數將量產162層閃存：100個晶圓容量TB
（2025年6月28日更新）
西部數據宣布，與鎧俠聯合開發BiCS NAND閃存將進入第六代，堆疊層數達到162層，今年將投入量產。
芯片采購網專注于整合國內外授權IC代理商現貨資源，芯片庫存實時查詢，行業價格合理，采購方便IC芯片，國內專業芯片采購平臺。
目前的3D NAND閃存已堆積到176層，美光日前宣布全球首個達到232層。
但西數指出，自己的162層閃存單元尺寸較小，只有68平方毫米，小于競爭產品69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度較大HARTING代理可提供與競爭產品相同的單芯片容量。
西數表示，BiCS6 162層堆疊下，一個晶圓可以達到100TB目前容量只有70左右，TB。
在性能方面，西數聲稱他有最好的電荷捕獲(Charge Trap)性能可達60個單元MB/s，比對手快一半。
西數也預測下一代BiCS 閃存，堆疊超過200層，預計將提高傳輸速度60%，編程帶寬15%，晶圓容量55%，然后繼續堆疊，2032年將超過500層！
另外，西數在PPT上海列出了PLC閃存，但沒有細節。
熱門關注的型號及相關品牌：
產品與應用：
每日新聞頭條：
芯片采購網專注整合國內外授權IC代理商的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺