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一段時間前，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3層D NAND閃存已送樣，預計年底量產。

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長江存儲一直是我國優秀的國內存儲芯片企業，自成立以來一直保持著快速發展。

2016年成立，2017年推出32層NAND閃存。2019年推出64層堆棧3D NAND閃存成功進入華為Mate40手機供應鏈。

縮短三星，SK海力士、鎧俠等6層，直接進行了海力士、鎧俠等行業大廠的差距Sharp代理128層3D NAND 閃存研發，并于2020年正式宣布研發成功，是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存擁有業內已知型號產品中最高單位面積的存儲密度I/O傳輸速度和最高單個NAND 閃存芯片容量。

長江儲存僅用了3年時間，就實現了從32層到128層的跨越，完成了同領域企業6年走過的道路。

4月，長江存儲推出了高速公路UFS 3.與目前最好的大廠相比，閃存芯片的性能完全不落后。

例如，業內最好的三星UFS 3.512閃存芯片GB版讀取速度2100MB/s，寫入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s，寫入速度1250MB/s，可以說仲，兩款芯片都處于行業頂級水平。

美光去年發布了176層UFS 3.1閃存，但讀取速度只有1.5萬MB/s，但是寫入速度沒有公布，估計是因為性能沒有優勢。所以長江存儲的閃存芯片已經很優秀了。

此外，據業內報道，長江存儲也進入蘋果供應鏈iPhone SE 閃存芯片的供應也是最好的證明。

當然，從時間維度來看，我們還是落后的，比如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片，但我們起步較晚，目前取得了快速進展。

當然，從行業的角度來看，其他廠商也在加大研發力度。比如美光最近發布了行業第一個232層3D閃存芯片有望在年底或明年開始量產。

三星還發布了224層3D閃存芯片也預計年底量產。

此外，三星還宣布已開發出來UFS 4.0閃存芯片，每個通道的帶寬速度增加到23.2Gbps，是UFS 3.基于三星第七代的兩倍V-NAND閃存和自主研控可達4200MB/s順序讀取速度和達2800MB/s寫入速度是當今性能最高的閃存芯片。

因此，從相似規格或相似性能的角度來看，我們的國產閃存芯片仍落后世界頂級水平1-2年。但我相信用不了多久就能趕上這個差距。

除了技術，國產閃存產能也略有不足。目前，長江存儲已將月產量擴大到10萬片晶圓，隨著武漢工廠二期工程建設，預計到2023年底，長江存儲月產量可能超過20萬片，全球市場份額有望達到7-8%。但與大型工業制造商相比，仍有很大的差距。

總之，192層3D NAND閃存芯片將是長江存儲發展的里程碑，也意味著國內存儲芯片在追趕美國和韓國頂級企業的道路上邁出了一大步。在這個領域，我們不再需要害怕外國的壓制和封鎖，也不會有脖子卡住的問題。