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一段時間前，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3層D NAND閃存已送樣，預(yù)計年底量產(chǎn)。

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長江存儲一直是我國優(yōu)秀的國內(nèi)存儲芯片企業(yè)，自成立以來一直保持著快速發(fā)展。

2016年成立，2017年推出32層NAND閃存。2019年推出64層堆棧3D NAND閃存成功進(jìn)入華為Mate40手機(jī)供應(yīng)鏈。

縮短三星，SK海力士、鎧俠等6層，直接進(jìn)行了海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距Sharp代理128層3D NAND 閃存研發(fā)，并于2020年正式宣布研發(fā)成功，是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積的存儲密度I/O傳輸速度和最高單個NAND 閃存芯片容量。

長江儲存僅用了3年時間，就實現(xiàn)了從32層到128層的跨越，完成了同領(lǐng)域企業(yè)6年走過的道路。

4月，長江存儲推出了高速公路UFS 3.與目前最好的大廠相比，閃存芯片的性能完全不落后。

例如，業(yè)內(nèi)最好的三星UFS 3.512閃存芯片GB版讀取速度2100MB/s，寫入速度1200MB/s。而UC023的512GB版讀取速度2000MB/s，寫入速度1250MB/s，可以說仲，兩款芯片都處于行業(yè)頂級水平。

美光去年發(fā)布了176層UFS 3.1閃存，但讀取速度只有1.5萬MB/s，但是寫入速度沒有公布，估計是因為性能沒有優(yōu)勢。所以長江存儲的閃存芯片已經(jīng)很優(yōu)秀了。

此外，據(jù)業(yè)內(nèi)報道，長江存儲也進(jìn)入蘋果供應(yīng)鏈iPhone SE 閃存芯片的供應(yīng)也是最好的證明。

當(dāng)然，從時間維度來看，我們還是落后的，比如三星是2020年3月推出的UFS 3.1閃存芯片，但我們起步較晚，目前取得了快速進(jìn)展。

當(dāng)然，從行業(yè)的角度來看，其他廠商也在加大研發(fā)力度。比如美光最近發(fā)布了行業(yè)第一個232層3D閃存芯片有望在年底或明年開始量產(chǎn)。

三星還發(fā)布了224層3D閃存芯片也預(yù)計年底量產(chǎn)。

此外，三星還宣布已開發(fā)出來UFS 4.0閃存芯片，每個通道的帶寬速度增加到23.2Gbps，是UFS 3.基于三星第七代的兩倍V-NAND閃存和自主研控可達(dá)4200MB/s順序讀取速度和達(dá)2800MB/s寫入速度是當(dāng)今性能最高的閃存芯片。

因此，從相似規(guī)格或相似性能的角度來看，我們的國產(chǎn)閃存芯片仍落后世界頂級水平1-2年。但我相信用不了多久就能趕上這個差距。

除了技術(shù)，國產(chǎn)閃存產(chǎn)能也略有不足。目前，長江存儲已將月產(chǎn)量擴(kuò)大到10萬片晶圓，隨著武漢工廠二期工程建設(shè)，預(yù)計到2023年底，長江存儲月產(chǎn)量可能超過20萬片，全球市場份額有望達(dá)到7-8%。但與大型工業(yè)制造商相比，仍有很大的差距。

總之，192層3D NAND閃存芯片將是長江存儲發(fā)展的里程碑，也意味著國內(nèi)存儲芯片在追趕美國和韓國頂級企業(yè)的道路上邁出了一大步。在這個領(lǐng)域，我們不再需要害怕外國的壓制和封鎖，也不會有脖子卡住的問題。