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中國芯片傳來好消息，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷。目前已完成192層3層D NAND閃存樣品生產，預計年底大規模生產交付。

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長江存儲一直是中國優秀的存儲芯片企業。自成立以來，它一直保持著快速穩定的發展狀態。短短三年，連續推出32層NAND閃存，64層堆棧3D NAND閃存成功進入華為Mate40手機供應鏈。然后為了縮短和三星，SK長江存儲直接跨越96層，直接進入128層3D NAND 閃存的研發于2020年正式宣布，是行業奇跡般的崛起，擁有全領域最高單位面積的存儲密度。這些，長江存儲只用了三年時間就完成了同一領域需要六年時間的道路。

知識淵博的朋友應該知道，三星存儲芯片的最高層數是192層，即世界頂級水平。超過200層，韓國三星未能突破技術瓶頸，無法達到批量生產水平。此前，長江已存放 推出了UFS3.閃存芯片一般規格--UC要知道，在這方面，NAND閃存的最高規格是閃存的最高規格US3.1.至于更高更先進，韓國三星只存在于理論層面，沒有技術支持。那么，這意味著什么呢？

科技是第一生產力，創新是引領發展的第一動力。長江存儲的技術突破引領國家發展走向更加現代化、科技化的道路。長江存儲的成功離不開自身對科研發展的熱愛和追求，也離不開國家對科研工作的大力支持。現儲存在長江NAND 閃存芯片被廣泛使用。依托世界上最大的市場中國和中國推動芯片自主化，長江存儲獲得了前所未有的發展機遇。現在，除了華為，長江存儲也進入了蘋果供應鏈iPhone SE 閃存芯片的供應也是中國科技力量的最佳體現。

當然，客觀地說，我們在這個領域還有很多地方需要努力。畢竟，中國起步較晚，西方國家惡意封鎖核心技術，導致我們比普通人付出更多的努力，但從結果來看，我們取得了跨越式的進步。此外，在行業內，其他廠商的發展速度不容忽視，三星仍在追趕224層3D閃存芯片的大規模生產計劃，所以從這個維度來看，我們離世界頂級水平還有1到2年，但我們相信這個差距很快就會消除。

總的來說，長江192層的3層D NAND閃存芯片是中國芯片發展的里程碑，也意味著國產存儲芯片正在追趕美國Mstar代理在韓國頂尖企業的道路上，又邁出了一大步，可以推動其他芯片技術及相關產業的發展。只有掌握科技的核心，才能真正改變人類的生產生活方式，進而影響世界的發展格局。這些都是我們努力所能做的。弘揚科學精神，傳播科學思想，是新一代年輕人為社會發展和人類命運共同體建設做出的貢獻。