提供碳化硅基礎（SiC）和氮化鎵（GaN）耐高溫、長壽命、高效、緊湊型驅動電路和智能功率模塊解決方案的領先供應商CISSOIDS. A.（CISSOID）,重慶平創半導體研究院有限公司是第三代芯片設計、設備研發、模塊制造和系統應用創新解決方案提供商，今天，雙方已經建立了戰略合作伙伴關系，將共同開展碳化硅等第三代功率半導體的應用研發項目，使碳化硅功率設備在航空航天、數字能源、新能源汽車、智能電網、軌道交通、5G充分發揮通信、節能環保等領域，提供高質量的高功率密度和高溫應用系統解決方案。
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第三代寬帶半導體（如碳化硅）越來越成熟和大規模商業化，在幾乎所有電力電子領域，逐漸取代基于硅的電力設備，進入電動汽車、軌道交通、船舶、太陽能、風能、電網、儲能等應用。用碳化硅功率器件代替硅基IGBT最初的好處是減少體積，提高效率；更重要的進步將充分發揮碳化硅的性能優勢，從而實現原體硅IGBT難以實現或根本無法實現的應用程序為系統應用程序設計師提供了新的擴展空間。
圖1法國技術市場趨勢調查公司YOLE預測功率器件結溫的預測
超越傳統體硅IGBT電力電子應用能力的重要性體現在兩個主要方面：一是在高功率密度應用中，電力設備本身的溫升使設備耐溫性的選擇和熱管理系統的設計尤為重要；二是由于應用環境和成本的影響，許多高溫環境應用通常沒有液體冷卻條件，從而測試設備本身的耐溫性和高溫工作壽命。因此，高溫半導體技術對于第三代寬禁帶半導體技術的廣泛應用至關重要。
重慶平創半導體研究院有限公司（Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以下簡稱平創半導體半導體技術，特別是碳化硅SiC、氮化鎵GaN以第三代半導體技術為代表，公司擁有強大的功率芯片/功率IC/電力設備設計研發能力，以及完善的電力模塊研發生產系統，為電力電子行業提供完整的電力系統解決方案。
CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，為極端溫度和惡劣環境下的電源管理、功率轉換和信號調整提供標準產品和定制解決方案。兩家公司的合作將有助于充分發揮雙方的優勢，為我國電力電子應用領域提供先進的高功率密度、高溫產品和解決方案。
高功率密度和高溫應用一直是電力電子行業的重大挑戰和發展方向之一。平創半導體總經理陳顯平博士說：碳化硅功率器件在高功率密度和高溫應用中必須配備相當于高溫等級的驅動芯片和電路，CISSOID公司的高溫‘絕緣層硅’（Silicon On Insulator，SOI）裝置恰好是這個任務。SiC固有的耐高溫性耐高溫性和高溫性SOI集成電路是一想的搭配，可以充分發揮作用SiC功率裝置的性能。我們非常榮幸CISSOID公司開展深入合作，共同開發先進的高功率密度、高溫產品和解決方案。”
我們很榮幸與平創半導體公司進行深入合作。他們強大的功率設備設計能力和完善的功率模塊研發和生產系統給我們留下了深刻的印象。”CISSOID首席技術官Pierre Delette我們與平創半導體的密切合作將致力于開發新的包裝設計，使碳化硅功率器件和耐高溫性SOI驅動電路結合更緊密，盡量減少寄生電感，使碳化硅裝置的性能發揮到極致，使整體方案更加精致，便于高密度緊湊安裝，為各電力電子領域提供高溫高功率密度應用產品及解決方案。”
Yole Development市場調查報告(圖1)顯示，自硅基功率半導體器件誕生以來，應用需求一直在上升，目前已達到150℃。隨著諸如SiC第三代寬禁帶半導體器件的出現，日益成熟，全面商業化，其獨特的耐高溫性能正在加速目前150的結溫℃邁向175℃，未來將進軍200℃。
借助于SiC其獨特的耐高溫性和低開關損耗優勢，將極大地改變電力系統的設計模式，大力促進高功率密度和高溫應用的發展。這些典型的高溫和高功率密度應用正在廣泛進入我們的生活，包括深度集成的電動汽車動力總成、多電和全電動飛機，甚至電動飛機、移動儲能充電站和充電寶，以及其他嚴重限制液體冷卻的電力和電子應用。
