
高溫半導體和功率模塊的領(lǐng)導者CISSOID宣布,公司已NAC Group和Advanced Conversion(為嚴格應用提供高性能電容器的領(lǐng)導者)合作,提供緊湊優(yōu)化的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。結(jié)合了功率堆棧CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器可以進一步與控制板和液體冷卻器集成,為電機驅(qū)動器提供高功率密度和高效率SiC逆變器的設計提供了一個完整的硬件和軟件平臺。
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CISSOID智能功率模塊(IPM)三相1200平臺集成V/340A-550A SiC MOSFET功率模塊和耐溫柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)低開關(guān)損耗和高功率密度。該平臺可以通過控制板和算法進一步增強電機驅(qū)動器SiC逆變器提供實時處理、控制和功能安全。電源模塊的導電Altera代理阻范圍從2.53mOhm(毫歐)到4.19mOhm,這取決于額定電流。在600V/300A當總開關(guān)能量低至7時.48mJ(Eon)和7.39mJ(Eoff)。通過仔細調(diào)整功率模塊與柵極驅(qū)動器的協(xié)同設計dV/dt優(yōu)化控制快速開關(guān)固有電壓過沖IPM,為實現(xiàn)最低開關(guān)能量。嵌入式柵極驅(qū)動解決方案與快速開關(guān)SiC晶體管的許多挑戰(zhàn):負驅(qū)動和有源米勒鉗位置(AMC)可防止寄生導通;去飽和檢測和軟關(guān)斷(SSD)能對短路事件做出快速安全的反應;鎖定柵極驅(qū)動器和直流總線電壓上的欠壓(UVLO)該功能可以監(jiān)控系統(tǒng)的正常運行。
Advanced Conversion6組直流支撐電容器機械安裝在低電感母線上CISSOID的IPM上。一組電容值高達500μF、額定電壓高達900V參考電容器可用于快速評估。基于Advanced Conversion環(huán)膜電容器也可以提供定制的解決方案,非常適合從表面安裝到開關(guān)模塊接口優(yōu)化總線結(jié)構(gòu)的應用場景。這種獲得專利的方法與總線冷卻相結(jié)合,可以提供非常高的每微法拉額定安培數(shù),允許適應盡可能小的電容,同時最大限度地減少換相電路的電感。使用正確的開關(guān)模塊和適當?shù)倪B接設計,很容易實現(xiàn)小于5nH等效串聯(lián)電感值。
直流支撐電容器是快速開關(guān)的大功率逆變器的關(guān)鍵部件,但在設計初期往往被忽視。然而,高效快速開關(guān)的寬帶間隙設備需要精心設計的直流支撐總線拓撲結(jié)構(gòu)和緊密集成的電容器。”NAC Group產(chǎn)品營銷總監(jiān)James Charlton表示。NAC Group與Advanced Conversion合作開發(fā)了一系列匹配CISSOID一起使用模塊的套件。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte由于電容器套件,客戶可以立即找到與我們快速開關(guān)的三相SiC IPM為了實現(xiàn)緊湊高效的電機驅(qū)動,完美匹配的高性能電容器可以加速其逆變器設計!
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