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IC臺積電2.5D及3D先進(jìn)的包裝技術(shù)（APT）工藝平臺可以縮短芯片的特殊應(yīng)用（ASIC）設(shè)計周期有助于降低風(fēng)險，提高良率。雖然創(chuàng)意第一季度的收入較淡季下降，但預(yù)計仍將是季度收入的歷史，今年5奈米和7奈米委托設(shè)計（NRE）接案暢旺，ASIC量產(chǎn)將逐步放量，全力攻擊人工智能和高效運算（AI／HPC）客制化ASIC巨大的市場商機(jī)。

芯片采購網(wǎng)專注于整合國內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫存實時查詢，行業(yè)價格合理，采購方便IC芯片，國內(nèi)專業(yè)芯片采購平臺。

今年創(chuàng)意保持樂觀前景，增長動能來自5奈米和7奈米AI／HPC相關(guān)芯片NRE接案暢旺，12奈米固態(tài)硬盤控制IC而擴(kuò)大了網(wǎng)通芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。此外，過去三年的創(chuàng)造力NRE今年，案會先后引進(jìn)5奈米和7奈米量產(chǎn)，配合臺積電晶圓OEM和先進(jìn)包裝產(chǎn)能支持，爭取系統(tǒng)廠AI／HPC客制化ASIC外包訂單深有信心。

創(chuàng)意發(fā)布2.5D與3D多晶粒APT平臺，支持臺積電CoWoS-S、CoWoS-R、InFO先進(jìn)的包裝技術(shù)。創(chuàng)意提供全方位的解決方案，包括完成硅驗證的接口硅智能金融（IP）、CoWoS與InFO信號和電源的完整性、熱仿真過程以及產(chǎn)品量產(chǎn)驗證的可測試設(shè)計（DFT）生產(chǎn)試驗。

創(chuàng)意表示，由于配備高帶寬內(nèi)存多年，（HBM）的CoWoS-S和InFO內(nèi)部7奈米和5奈米晶粒與模擬過程相匹配GLink IP硅驗證已經(jīng)完成。最近創(chuàng)意用5奈米工藝4Gbps HBM2E物理層CMLMicrocircuits代理與控制器IP，完成了CoWoS-R測試芯片驗證。

創(chuàng)意總經(jīng)理戴尚義表示，創(chuàng)意去年開發(fā)了新一代HBM3、GLink-2.5D與GLink-3D等IP，并完成CoWoS-S／R與InFO設(shè)計平臺驗證，可以說是經(jīng)歷了突破性的進(jìn)展。創(chuàng)意與臺積電合作，努力減少最先進(jìn)的2.5D與3D利用技術(shù)，讓客戶開發(fā)具有成本效益的高效產(chǎn)品，更快地進(jìn)入量產(chǎn)。