杭州國際科創(chuàng)中心浙江大學(xué) 50mm 厚 6 英寸碳化硅單晶生長成功，晶體質(zhì)量達到行業(yè)水平
（2025年5月7日更新）
IT之家7 月 28 據(jù)浙江大學(xué)杭州國際科技創(chuàng)新中心報道，近日，浙江大學(xué)杭州國際科技創(chuàng)新中心先進半導(dǎo)體研究所-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室在浙江省先鋒計劃等研發(fā)項目的支持下成功成長 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。這一重要進展意味著碳化硅襯底成本有望大幅降低，半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展可能會迎來新的發(fā)展機遇。
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碳化硅（SiC）單晶作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，對高壓、高頻、高溫、高功率等半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展至關(guān)重要。目前，我國碳化硅單晶的直徑已普遍達到 6 但其厚度通常為~20-30英寸 mm 之間，導(dǎo)致碳化U-Blox代理硅片獲得的碳化硅襯底片數(shù)量相當(dāng)有限。
研究人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰(zhàn)是其生長厚度的增加和源粉消耗對生長室內(nèi)熱場的變化。針對挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)通過設(shè)計碳化硅單晶生長設(shè)備的新熱點，開發(fā)碳化硅源粉的新技術(shù)，開發(fā)碳化硅單晶生長的新技術(shù)，顯著提高了碳化硅單晶生長率，成功生長厚度 50 mm 的 6 英寸碳化硅單晶。碳化硅單晶的晶體質(zhì)量已達到行業(yè)水平。
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