国产精品久久精品牛牛影视-国产精品久久精品视-国产精品久久九九-国产精品久久久-国产精品久久久99

英特爾研究所宣布，其集成光電研究取得了重大進(jìn)展，這是提高數(shù)據(jù)中心和跨數(shù)據(jù)中心計(jì)算芯片互聯(lián)帶寬的下一個(gè)前沿領(lǐng)域。該最新研究在多波長(zhǎng)集成光學(xué)領(lǐng)域取得了行業(yè)領(lǐng)先進(jìn)展，顯示了完全集成在硅晶圓上的八波長(zhǎng)分布式反饋（DFB）激光陣列，輸出功率均勻性達(dá)到 /- 0.25分貝（dB），達(dá)到波長(zhǎng)間隔的均勻性±6.5%優(yōu)于行業(yè)規(guī)范。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

英特爾研究所高級(jí)首席工程師榮海生說(shuō)：這項(xiàng)新研究表明，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)均勻密集的波長(zhǎng)和良好的適應(yīng)輸出功率。最重要的是，利用英特爾晶圓廠現(xiàn)有的生產(chǎn)和工藝控制技術(shù)。因此，它為下一代光電共包裝和光互連器件的大規(guī)模生產(chǎn)提供了一條清晰的道路。

利用這一新進(jìn)展生產(chǎn)的光源將具備未來(lái)大規(guī)模應(yīng)用所需的性能，如可用于處理AI與機(jī)器學(xué)習(xí)等新興網(wǎng)絡(luò)密集工作負(fù)荷的光電共包裝和光互連裝置。該激光陣列基于英特爾300毫米硅光子工藝，為大規(guī)模生產(chǎn)和廣泛部署鋪平了道路。

據(jù)Gartner預(yù)計(jì)到2025年，超過(guò)20%的數(shù)據(jù)中心高帶寬通道將使用硅光子，而2020年的比例不到5%。此外，硅光子潛在市場(chǎng)規(guī)模也達(dá)到26億美元。為了支持?jǐn)?shù)據(jù)中心的應(yīng)用和其他方面，對(duì)低功耗、高帶寬和快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨髱��?lái)了硅光子需求的同步增長(zhǎng)。

光連接在20世紀(jì)80年代開始取代銅線，因?yàn)楣饫w中固有的高帶寬光傳輸優(yōu)于金屬電纜傳輸?shù)碾娒}沖。從那時(shí)起，由于組件尺寸和成本的降低，光纖技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了突破，通常用于交換機(jī)、數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算環(huán)境。

隨著電氣互連性能逐漸接近實(shí)際極限，硅電路和光學(xué)器件并排集成在同一包裝上，預(yù)計(jì)未來(lái)將增加輸入/輸出（I/O）接口的能源效率延長(zhǎng)了其傳輸距離。這些光子技術(shù)是在英特爾晶圓廠實(shí)現(xiàn)的，這意味著在實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)后，成本將降低。

最新的光電共封裝解決方案采用密集波分復(fù)用（DWDM）該技術(shù)顯示了光子芯片尺寸在增加帶寬的同時(shí)顯著縮小的前景。然而，到目前為止，仍然很難制造具有均勻波長(zhǎng)間隔和功率的密集波分復(fù)用光源。

英特爾的新進(jìn)展保證了光源在保持波長(zhǎng)分離一致性的同時(shí)具有均勻的輸出功率，滿足了光計(jì)算互聯(lián)和密集波分復(fù)用通信的需要。下一代光互連輸入/輸出接口可用于未來(lái)AI定制機(jī)器學(xué)習(xí)工作負(fù)載的極高帶寬要求。

8個(gè)微環(huán)調(diào)制器和光波導(dǎo)。每個(gè)微環(huán)調(diào)制器都被調(diào)整到特定的波長(zhǎng)（或光色）。使用多波長(zhǎng)，每個(gè)微環(huán)可以單獨(dú)調(diào)制光波，以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立通信。這種使用多波長(zhǎng)的方法稱為波分重用。（圖片來(lái)源：英特爾）

英特爾商用300波長(zhǎng)分布式反饋激光陣列 mm該平臺(tái)由混合硅光子平臺(tái)設(shè)計(jì)制造，用于大規(guī)模生產(chǎn)光收發(fā)器。基于制造300 mm在嚴(yán)格的工藝控制下，硅晶圓具有相同的光刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的創(chuàng)新CMOS晶圓廠激光制造能力的重大飛躍。

8通道III-V族/硅混合分布式反饋激光陣列。通過(guò)實(shí)現(xiàn)匹配功率和均勻波長(zhǎng)間隔，這一創(chuàng)新標(biāo)志著大型晶圓廠批量生產(chǎn)多波長(zhǎng)激光器能力的重大飛躍。

英特爾在這項(xiàng)研究中使用了先進(jìn)的光刻技術(shù)III-V硅片中波導(dǎo)光柵的配置應(yīng)在族晶圓鍵合工藝前完成。III-V與普通半導(dǎo)體激光器相比，該技術(shù)提高了波長(zhǎng)均勻性。此外，由于激光器的高密度集成，陣列在環(huán)中pSemi代理當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，通道間距也可以保持穩(wěn)定。

未來(lái)，作為硅光子技術(shù)的先驅(qū)，英特爾將繼續(xù)致力于研究各種解決方案，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)更高效、更全面的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的需求。目前，英特爾正在開發(fā)的集成光電關(guān)鍵建筑模塊包括光的生產(chǎn)、放大、檢測(cè)、調(diào)節(jié)、CMOS接口電路與包裝集成。

此外，英特爾硅光子產(chǎn)品部門正在采用八波長(zhǎng)集成激光陣列制造技術(shù)（Silicon Photonics Products Division）用于創(chuàng)造未來(lái)的光互連芯粒。即將推出的產(chǎn)品將包括在內(nèi)CPU、GPU在內(nèi)存中的各種計(jì)算資源之間，實(shí)現(xiàn)低功耗、高性能和太比特（multi-terabits per second）的互連。集成激光陣列是縮小體積、降低成本的關(guān)鍵。