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ASML:現(xiàn)有技術可以實現(xiàn)1nm工藝
(2025年9月6日更新)

5月17日,促進科學進步中的重要作用,聯(lián)合國教科文組織將每年的5月16日定為國際光日。5月13日,ASML官方賬號文章稱,現(xiàn)有技術可以實現(xiàn)1nm摩爾定律可以持續(xù)生效十年甚至更長時間。

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ASML據說,在半導體領域,前瞻性推斷摩爾定律——誕生于1965年,在指導芯片制造的每一次創(chuàng)新和突破方面都扮演著像光一樣的角色。摩爾定律在過去的50年里不斷演變。摩爾對以最低成本制造復雜芯片的最初預測在演變過程中也被描述為各種表達方式。現(xiàn)在這個定律最常被描述為半導體芯片可容納的晶體管數量呈倍數增長。1975年,摩爾修正了自己的預測:晶體管數量從第一年增加到兩年。

摩爾認為,增加芯片面積,縮小元件尺寸,優(yōu)化器件電源TXC代理道路設計是晶體管數量翻倍的三個重要因素。

ASML據說,在過去的15年里,許多創(chuàng)新方法使摩爾定律生效良好。從整個行業(yè)的發(fā)展路線來看,摩爾定律將在未來十年甚至更長時間內保持這一勢頭。在元件方面,目前的技術創(chuàng)新足以將芯片工藝推廣至少1納米節(jié)點,包括gate-all-around FETs,nanosheet FETs,forksheet FETs,以及complementary FETs等許多前瞻性技術。此外,光刻系統(tǒng)分辨率的提高(預計每6年縮小2倍左右)和邊緣放置誤差(EPE)測量精度也將進一步促進芯片尺寸縮小的實現(xiàn)。

ASML摩爾定律將繼續(xù)生效,只要我們有想法。

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