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在先進(jìn)技術(shù)方面，臺積電今年年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年量產(chǎn)2nm這一代人將開始使用技術(shù)GAA放棄現(xiàn)在的晶體管FinFET晶體管技術(shù)。

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再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、三大芯片制造商臺積電和三星也在沖刺，其中三星首次宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺積電沒說時間點，預(yù)計2027年左右。

1.4nm之后就是1nm這個節(jié)點曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，這是無法實現(xiàn)的，但是Parallax代理現(xiàn)在芯片廠商也在攻關(guān)。

臺積電已經(jīng)啟動了先導(dǎo)計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍?zhí)豆珗@，這意味著臺積電已開始達(dá)到1nm畢竟工廠需要提前一兩年建設(shè)。

但真正量產(chǎn)1nm還需要很長時間，關(guān)鍵設(shè)備是下一代EUV升級下一代高光刻機(jī)NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn)，從現(xiàn)在的0開始.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA這意味著分辨率更高，3nm后續(xù)工藝的必要條件。

按照ASML計劃，下一代EUV光刻機(jī)的試驗型號最早將于明年發(fā)貨，2025年后達(dá)到正式量產(chǎn)能力，售價將超過4億美元。