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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術參數：TRANSISTOR GEN PURP
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BC856B/DG/B4R 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：BC856B/DG/B4R
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 描述：TRANSISTOR GEN PURP
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：PNP
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：65V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
- 電流-集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：125 @ 2mA，5V
- 功率-最大值：250mW
- 頻率-躍遷：100MHz
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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