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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：雙極 (BJT) - 單，預偏置-晶體管，3-DFN1006B（0.6x1）
- 技術參數：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
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PDTA115EMB 技術參數詳情：
- Nexperia公司器件型號：PDTA115EMB,315
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 功能總體描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
- 所屬類別：雙極 (BJT) - 單，預偏置-晶體管
- 系列：-
- 零件狀態：在售
- 晶體管類型：PNP - 預偏壓
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）：20mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）：100k
- 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）：100k
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，5V
- 不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：150mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：1μA
- 頻率 - 躍遷：180MHz
- 功率 - 最大值：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝形式：3-XFDFN
- Nexperia公司標準封裝：3-DFN1006B（0.6x1）
- PDTA115EMB的標準包裝數量(SPQ)：10000 PCS
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