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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 單-晶體管，TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
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PHB21N06LT 技術參數詳情：
- Nexperia公司器件型號：PHB21N06LT,118
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 功能總體描述：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
- 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件狀態：在售
- FET 類型：N 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：55V
- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：19A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：9.4nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF @ 25V
- Vgs（最大值）：±15V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：56W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 10A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- Nexperia公司標準封裝：D2PAK
- 封裝形式：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- PHB21N06LT的標準包裝數量(SPQ)：800 PCS
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