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- 制造廠商：Nexperia（安世半導體）
- 類別封裝：FET，MOSFET - 陣列-晶體管，DFN2020-6
- 技術參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
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PMDPB85UPE 技術參數(shù)詳情：
- Nexperia公司器件型號：PMDPB85UPE,115
- 制造商：Nexperia（安世半導體）
- 功能總體描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
- 所屬類別：FET，MOSFET - 陣列-晶體管
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：在售
- FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓（Vdss）：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.9A
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：103 毫歐 @ 1.3A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：8.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：514pF @ 10V
- 功率 - 最大值：515mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝形式：6-UDFN
- Nexperia公司標準封裝：DFN2020-6
- PMDPB85UPE的標準包裝數(shù)量(SPQ)：3000 PCS
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