產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：松下半導體
- 類別封裝：薄膜電容器，徑向
- 技術參數(shù)：CAP FILM 30UF 1.1KVDC RAD 4LD
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EZP-E1B306MTA 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: EZP-E1B306MTA
- 制造商：松下半導體（Panasonic Electronic Components）
- 功能總體簡述: CAP FILM 30UF 1.1KVDC RAD 4LD
- 系列: EZPE
- 電容: 30μF
- 容差: ±10%
- 額定電壓 - AC: -
- 額定電壓 - DC: 1100V（1.1kV）
- 介電材料: 聚丙烯（PP），金屬化
- ESR（等效串聯(lián)電阻）: 8.5 毫歐
- 工作溫度: -40°C ~ 85°C
- 安裝類型: 通孔
- 產(chǎn)品封裝: 徑向 - 4 引線
- 大小/尺寸: 2.264 長 x 1.181 寬（57.50mm x 30.00mm）
- 高度 - 安裝（最大值）: 2.039（51.80mm）
- 端接: PC 引腳
- 引線間距: 2.067（52.50mm）
- 應用: DC 鏈路，DC 濾波
- 特性: 低 ESR
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