產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：松下半導體
- 類別封裝：FET - 陣列，8-SMD，扁平引線
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
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MTM78E2B0LBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: MTM78E2B0LBF
- 制造商：松下半導體（Panasonic Electronic Components）
- 功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
- 系列: -
- FET 類型: 2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能: 標準
- 漏源極電壓（Vdss）: 20V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 4A
- 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 25 毫歐 @ 2A，4V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: -
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1100pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 150mW
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝: 8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝: W迷你型8-F1
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