產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Powerex
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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QJD1210011 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：QJD1210011
- 制造商：Powerex Inc.
- 描述：MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 100A，20V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：500nC @ 20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：10200pF @ 800V
- 功率-最大值：900W
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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