產品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
- 技術參數：POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
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2SCR586D3TL1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：2SCR586D3TL1
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：5A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：80V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 100mA，2A
- 電流-集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 500mA，3V
- 功率-最大值：10W
- 頻率-躍遷：200MHz
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 2SCR586D3TL1優勢代理貨源，國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。
