產品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
- 技術參數：SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
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BSM180C12P2E202 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：BSM180C12P2E202
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：204A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：+22V，-6V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：20000pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1360W（Tc）
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：模塊
- BSM180C12P2E202優勢代理貨源，國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。
