產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
- 技術(shù)參數(shù)：1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
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BSM600D12P3G001 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSM600D12P3G001
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個 N 通道（半橋）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：600A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：31000pF @ 10V
- 功率-最大值：2450W（Tc）
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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