產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- 技術參數(shù)：IGBT 650V 8A 65W TO-263S
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RGT8NS65DGTL 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：RGT8NS65DGTL
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：8A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
- 功率-最大值：65W
- 開關能量：-
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：13.5nC
- 25°C時Td（開/關）值：17ns/69ns
- 測試條件：400V，4A，50歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：40ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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