產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
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SH8K26GZ0TB 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SH8K26GZ0TB
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：40V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：38 毫歐 @ 6A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.9nC @ 5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：280pF @ 10V
- 功率-最大值：2W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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