產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
- 豐富的ROHM公司產(chǎn)品，ROHM芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
SH8M24GZETB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SH8M24GZETB
- 制造商：羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）
- 描述：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：45V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：46 毫歐 @ 4.5A，10V，63 毫歐 @ 3.5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.6nC，18.2nC @ 5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF，1700pF @ 10V
- 功率-最大值：1.4W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- SH8M24GZETB優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ROHM芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ROHM代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)