產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：單端場效應管，8-LFPAK-iV
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
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HAT2165N-EL-E 技術參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：HAT2165N-EL-E
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：55A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 27.5A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5180pF @ 10V
- 功率 - 最大值：30W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
- 供應商器件封裝：8-LFPAK-iV
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