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Renesas
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HAT2167H-EL-E 圖片
  • 制造廠商:Renesas(瑞薩)
  • 類別封裝:單端場效應管,LFPAK
  • 技術參數:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
  • 豐富的Renesas公司產品,Renesas芯片采購平臺
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HAT2167H-EL-E 技術參數詳情:
  • Renesas瑞薩完整型號:HAT2167H-EL-E
  • 制造商:瑞薩電子(Renesas Electronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):40A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:20W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SC-100,SOT-669
  • 供應商器件封裝:LFPAK
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