產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：RF晶體管，4-MFPAK
- 技術(shù)參數(shù)：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
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HSG1002VE-TL-E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號：HSG1002VE-TL-E
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
- 系列：-
- 晶體管類型：NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.5V
- 頻率 - 躍遷：38GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
- 增益：8dB ~ 19.5dB
- 功率 - 最大值：200mW
- 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：4-SMD，鷗翼型
- 供應(yīng)商器件封裝：4-MFPAK
- HSG1002VE-TL-E優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Renesas芯片采購服務(wù)平臺。
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