產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerLDFN
- 技術(shù)參數(shù)：POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
- 豐富的Renesas公司產(chǎn)品，Renesas芯片采購平臺
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NP30N06QDK-E1-AY 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NP30N06QDK-E1-AY
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 描述：POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 15A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2250pF @ 25V
- 功率-最大值：1W（Ta），59W（Tc）
- 工作溫度：175°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerLDFN
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