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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：存儲器，產品封裝：63-VFBGA
- 技術參數：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
- 豐富的ST公司產品，ST芯片采購平臺
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NAND512R3A2BZA6E 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NAND512R3A2BZA6E
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
- 產品系列：存儲器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態：停產
- 存儲器類型：非易失
- 存儲器格式：閃存
- 技術：閃存 - NAND
- 存儲容量：512Mb（64M x 8）
- 存儲器接口：并聯
- 時鐘頻率：-
- 寫周期時間-字，頁：60ns
- 訪問時間：60ns
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產品封裝：63-VFBGA
- NAND512R3A2BZA6E優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
