產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：存儲(chǔ)器，產(chǎn)品封裝：55-TFBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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NAND512R3A3AZA6E 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NAND512R3A3AZA6E
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
- 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
- 包裝：托盤
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 存儲(chǔ)器類型：非易失
- 存儲(chǔ)器格式：閃存
- 技術(shù)：閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量：512Mb（64M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
- 時(shí)鐘頻率：-
- 寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：60ns
- 訪問(wèn)時(shí)間：60ns
- 電壓-供電：1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：55-TFBGA
- NAND512R3A3AZA6E優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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