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ST
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PD20010S-E 圖片
  • 制造廠商:ST(意法半導體)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻,封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)
  • 技術參數:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
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PD20010S-E 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:PD20010S-E
  • 制造商:ST意法半導體(STMicroelectronics)
  • 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 零件狀態:停產
  • 晶體管類型:LDMOS
  • 頻率:2GHz
  • 增益:11dB
  • 電壓-測試:13.6V
  • 額定電流(安培):5A
  • 噪聲系數:-
  • 電流-測試:150mA
  • 功率-輸出:10W
  • 電壓-額定:40V
  • 封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)
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