產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：H2Pak-2
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購平臺(tái)
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SCT30N120H 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SCT30N120H
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，20V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：105nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+25V，-10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：H2Pak-2
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