產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：HiP247?
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
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SCTW35N65G2VAG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SCTW35N65G2VAG
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：45A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+22V，-10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：240W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：HiP247?
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