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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK
- 技術參數：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
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STB11NM60FDT4 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STB11NM60FDT4
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：FDmesh?
- 零件狀態：不適用於新設計
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：600V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：11A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 5.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：900pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：160W（Tc）
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：D2PAK
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