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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
- 技術參數：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
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STGB30H65DFB2 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STGB30H65DFB2
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：HB2
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
- 功率-最大值：167W
- 開關能量：270μJ（開），310μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：90nC
- 25°C時Td（開/關）值：18.4ns/71ns
- 測試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：115ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
- STGB30H65DFB2優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
