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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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STGD6M65DF2 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STGD6M65DF2
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：M
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：12A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：24A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
- 功率-最大值：88W
- 開關能量：36μJ（開），200μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：21.2nC
- 25°C時Td（開/關）值：15ns/90ns
- 測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：140ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- STGD6M65DF2優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
