產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：通孔
- 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
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STGP8M120DF3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGP8M120DF3
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：管件
- 零件狀態(tài)：-
- IGBT類型：有源
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：溝槽型場截止
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：1200V
- 電流-集電極脈沖(Icm)：16A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：32A
- 功率-最大值：2.3V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：390μJ（開），370μJ（關(guān)）
- 柵極電荷：標準
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：32nC
- 測試條件：20ns/126ns
- 反向恢復時間(trr)：600V，8A，33 歐姆，15V
- 工作溫度：103ns
- 安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 封裝：通孔
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