產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 900V 60A 220W TO247
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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STGW30N90D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGW30N90D
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 900V 60A 220W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：900V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：135A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，20A
- 功率-最大值：220W
- 開(kāi)關(guān)能量：1.66mJ（開(kāi)），4.44mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：110nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：29ns/275ns
- 測(cè)試條件：900V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：152ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- STGW30N90D優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)