產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-4
- 技術參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
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STGW75H65DFB2-4 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGW75H65DFB2-4
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：HB2
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：115A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：225A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A
- 功率-最大值：357W
- 開關能量：992μJ（開），766μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：207nC
- 25°C時Td（開/關）值：22ns/121ns
- 測試條件：400V，75A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：88ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-4
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