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- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術參數：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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STGW8M120DF3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：STGW8M120DF3
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：M
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：16A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：32A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，8A
- 功率-最大值：167W
- 開關能量：390μJ（開），370μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：32nC
- 25°C時Td（開/關）值：20ns/126ns
- 測試條件：600V，8A，33 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：103ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- STGW8M120DF3優勢代理貨源，國內領先的ST芯片采購服務平臺。
