產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3PFM，SC-93-3
- 技術參數(shù)：IGBT BIPO 600V 40A TO3P
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STGWF40V60DF 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGWF40V60DF
- 制造商：ST意法半導體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT BIPO 600V 40A TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 開關能量：456μJ（開），411μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：-
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3PFM，SC-93-3
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