產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
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STGWT40V60DF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGWT40V60DF
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：80A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：160A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
- 功率-最大值：283W
- 開(kāi)關(guān)能量：456μJ（開(kāi)），411μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：226nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：52ns/208ns
- 測(cè)試條件：400V，40A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：41ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- STGWT40V60DF優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)ST代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)