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產品參考圖片
CIGT201206EH1R0MNE 圖片
  • 制造廠商:三星半導體
  • 類別封裝:固定電感器,封裝:0805(2012 公制)
  • 技術參數:FIXED IND 1UH 1.8A 110MOHM SMD
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CIGT201206EH1R0MNE 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:CIGT201206EH1R0MNE
  • 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
  • 描述:FIXED IND 1UH 1.8A 110MOHM SMD
  • 產品系列:固定電感器
  • 包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
  • 系列:CIGT
  • 零件狀態:有源
  • 類型:薄膜
  • 材料-磁芯:金屬合成物
  • 電感:1μH
  • 容差:±20%
  • 額定電流(安培):1.8A
  • 電流-飽和(Isat):2.4A
  • 屏蔽:無屏蔽
  • DC電阻(DCR):110 毫歐最大
  • 不同頻率時Q值:-
  • 頻率-自諧振:-
  • 等級:-
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C
  • 電感頻率-測試:1MHz
  • 特性:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:0805(2012 公制)
  • 供應商器件封裝:0805(2012 公制)
  • 大小/尺寸:0.079 長 x 0.049 寬(2.00mm x 1.25mm)
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