產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器，96FBGA
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
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K4B8G1646D-MCNB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：K4B8G1646D-MCNB
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 容量：8Gb
- 架構(gòu)：512M x 16
- 速率：2133 Mbps
- 工作電壓：1.5 V
- 工作溫度：0 ~ 85 °C
- 封裝：96FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4B8G1646D-MCNB優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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