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K4H511638B-TCB0000
制造廠商:
三星半導體
類別封裝:
DRAM存儲器IC,出廠封裝
技術參數:
0
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點擊下圖下載技術文檔
K4H511638B-TCB0000 技術參數詳情:
三星半導體完整型號:K4H511638B-TCB0000
存儲器結構:32Mx16
速度:0.75ns
電源電壓:2.5V
包裝:TSOP-II
環保標準:不符合RoHS標準
K4H511638B-TCB0000
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K4F640411D-JC60
RP102PJ150CS
RC1608F3241CS
CL05C1R8BB5NNNC
SPHCW1HDNB25YHR3B3
MX10SYSCON105
SPHWHAHDNL231ZT3D3
RC2012J471CS
K9HBG08U1M-PIBO
SPMWHT327FD5GBRMS3
RC2012J473CS
RC2012F114CS
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