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K4T51163QG-HCE6000
制造廠商：
三星半導體
類別封裝：
DRAM存儲器IC，出廠封裝
技術參數：
0
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點擊下圖下載技術文檔
K4T51163QG-HCE6000 技術參數詳情：
三星半導體完整型號：K4T51163QG-HCE6000
存儲器結構：32Mx16
速度：0.45ns
電源電壓：1.8V
包裝：FBGA
環保標準：符合RoHS標準
K4T51163QG-HCE6000
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RC1005F1651CS
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K4M28163LF-RS75
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