產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，200FBGA
- 技術(shù)參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
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K4U6E3S4AM-GHCL 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：K4U6E3S4AM-GHCL
- 制造商：三星半導(dǎo)體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器
- 容量：16Gb
- 架構(gòu)：x32
- 速率：4266 Mbps
- 工作電壓：1.8 / 1.1 / 0.6 V
- 工作溫度：-40 ~ 105 °C
- 封裝：200FBGA
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- K4U6E3S4AM-GHCL優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
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