產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導(dǎo)體
- 類別封裝：SRAM存儲器IC，出廠封裝
- 技術(shù)參數(shù)：0
- 豐富的三星半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，三星半導(dǎo)體芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價格
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K6T1008V2E-TB7000 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 三星半導(dǎo)體完整型號：K6T1008V2E-TB7000
- 存儲器結(jié)構(gòu)：1M×8
- 速度：70ns
- 電源電壓：3.3V
- 包裝：TSOP
- 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)：
- K6T1008V2E-TB7000優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的三星半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Samsung代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺