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KLUDG8J1ZD-B0CQ 圖片
  • 制造廠商:三星半導體
  • 類別封裝:嵌入式存儲器,11.5 x 13 x 1.2 mm
  • 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
  • 豐富的三星半導體公司產品,三星半導體芯片采購平臺
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KLUDG8J1ZD-B0CQ 技術參數詳情:
  • 三星芯片型號:KLUDG8J1ZD-B0CQ
  • 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
  • 功能類別:嵌入式存儲器
  • 版本:UFS 2.1
  • 容量:128GB
  • 工作電壓:1.8/3.3 V
  • 接口:G3 2Lane
  • 封裝尺寸:11.5 x 13 x 1.2 mm
  • 工作溫度:-40 ~ 105 °C
  • 產品狀態:樣品
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