- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:嵌入式存儲器,11.5 x 13 x 1.2 mm
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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KLUDG8J1ZD-B0CQ 技術參數詳情:
- 三星芯片型號:KLUDG8J1ZD-B0CQ
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:嵌入式存儲器
- 版本:UFS 2.1
- 容量:128GB
- 工作電壓:1.8/3.3 V
- 接口:G3 2Lane
- 封裝尺寸:11.5 x 13 x 1.2 mm
- 工作溫度:-40 ~ 105 °C
- 產品狀態:樣品
- KLUDG8J1ZD-B0CQ優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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